جب تعارف کرواتے ہوامونیم پولی فاسفیٹ (اے پی پی)اعلی کے آخر میں الیکٹرانک پیکیجنگ ، آپٹیکل ڈیوائسز ، اور شفاف آگ سے مزاحم کوٹنگز میں شعلہ ریٹارڈنٹ فنکشن کو حاصل کرنے کے لئے ایپوسی رال (ای پی) میں ، "شفافیت کا نقصان" اس کی درخواست پر پابندی لگانے میں ایک اہم رکاوٹ بن جاتا ہے۔ اس تضاد کی جڑ غیر نامیاتی فلرز اور نامیاتی میٹرک کے مابین موروثی آپٹیکل مماثلت میں ہے۔ حل محض اضافی افراد کی مقدار کو کم کرنا نہیں ہے ، بلکہ لائٹ بکھرنے والے تھیوری ، انٹرفیس کیمسٹری ، اور نانوڈسپرسن ٹکنالوجی پر مبنی سسٹم انجینئرنگ کے ذریعہ شعلہ پسماندگی اور آپٹیکل شفافیت کے مابین سائنسی توازن تلاش کرنا ہے۔
ایپوسی رال خود ایک شفاف ماد .ہ ہے ، اور اس کی شفافیت اس بات پر منحصر ہے کہ آیا روشنی کے بکھرے ہوئے بغیر روشنی گزر سکتی ہے یا نہیں۔ ایپ کا تعارف تین اہم اقسام کے روشنی بکھرنے کی حوصلہ افزائی کرے گا ، جس کی وجہ سے دوبد میں اضافہ اور ترسیل میں کمی واقع ہوگی۔
1. ریلیگ بکھرنا:
trگر کی حالت: یہ اس وقت ہوتا ہے جب ایپ کا ذرہ سائز واقعہ کی روشنی کی طول موج سے بہت چھوٹا ہوتا ہے (D << λ/20 ، عام طور پر <20 nm)۔
· میکانزم: روشنی انتہائی چھوٹے ذرات سے بے حد بکھر جاتی ہے ، اور اس کی شدت ذرہ قطر کی چھٹی طاقت کے متناسب ہے اور طول موج کی چوتھی طاقت کے الٹا متناسب ہے۔ یہاں تک کہ اگر اضافی رقم بہت کم ہے تو ، نانوسکل آبائی ذرات یا چھوٹے اجتماعات کی ایک بڑی تعداد کی موجودگی اب بھی اہم نیلی روشنی بکھرنے (مصنوعات میں نیلے رنگ کی دوبد) کا باعث بن سکتی ہے۔
2. مائی بکھرنا:
· ٹرگر کی حالت: جب ذرہ سائز اسی ترتیب پر ہوتا ہے جس طرح روشنی کی طول موج (D ≈ 0.1 λ -10 λ ، یعنی تقریبا 50 nm -50μm) ہوتا ہے ، تو یہ سب سے عام اور شدید بکھرنے والا ذریعہ ہے۔
· میکانزم: روایتی یا ناقص منتشر ایپ کے ذرات (ذرہ سائز 1-10μm) اس حد میں مرئی روشنی (λ = 380-780 ینیم) کو سختی سے بکھیر دیں گے ، جو ایپوکسی رال "سفیدی" اور شفافیت کے نقصان کی بنیادی وجہ ہے۔
3. انٹرفیس بکھرنے کی وجہ سے اضطراب انگیز انڈیکس مماثلت ہے:
· میکانزم: ایپوسی رال (N ~ 1.55-1.60) اور ایپ (N ~ 1.48-1.52) کے مابین اضطراب انگیز انڈیکس میں فرق ہے۔ جب روشنی ان دونوں کے مابین انٹرفیس سے گزرتی ہے تو ، اضطراری اشاریہ میں اچانک تبدیلی کی وجہ سے یہ فریسنل کی عکاسی اور اضطراب سے گزرتا ہے ، جس کے نتیجے میں بکھرے ہوئے روشنی ہوتی ہے۔ جتنا زیادہ فرق اور زیادہ انٹرفیس (یعنی ، بازی اور زیادہ سے زیادہ جمع) ، بکھرنے میں اتنا ہی سخت ہوتا ہے۔
لہذا ، توازن کے مسئلے کا بنیادی حصہ اس میں تبدیل ہو گیا ہے: تکنیکی ذرائع کے ذریعہ مندرجہ بالا تین لائٹ بکھرنے والے اثرات کو کس طرح کم سے کم کیا جائے جبکہ ایک موثر توسیع شعلہ ریٹارڈنٹ نیٹ ورک کی تشکیل کے ل sufficient کافی ایپ کے اضافے کو یقینی بنائے؟
طول و عرض 1: ذرہ سائز اور مورفولوجی کی حد کنٹرول - MIE بکھرنے والے خطے سے گریز کرنا
· مقصد: کے بنیادی ذرہ سائز کو کم کرناایپ100 ینیم سے نیچے اچھی طرح سے اور مثالی طور پر رائلگ بکھرنے والے غالب خطے میں داخل ہوں۔
· تکنیکی راستہ: الٹرا فائن پیسنے اور درجہ بندی کی تکنیک کے ذریعہ نانوسکل ایپس کا استعمال کریں یا سبکرمون لیول ایپس حاصل کریں۔ ذرہ سائز کو کم کرنے سے MIE بکھرنے کی شدت میں نمایاں کمی واقع ہوسکتی ہے اور رال میں ذرات کی معطلی استحکام میں اضافہ ہوسکتا ہے۔
· چیلنج اور لاگت: نینو ٹکنالوجی ایپ کی سطح کی توانائی میں نمایاں اضافہ کرے گی ، جس سے اجتماعی رجحان میں تیزی سے اضافہ ہوگا ، اور یہاں تک کہ آپٹیکل نقائص بھی بڑے ہوسکتے ہیں۔ لہذا ، اسے طول و عرض دو (سطح میں ترمیم) کے ساتھ ہم آہنگی سے انجام دینا چاہئے۔
طول و عرض 2: سطح میں ترمیم انجینئرنگ - اضطراب انگیز انڈیکس میلان منتقلی کا حصول اور اجتماعیت کو دبانے
اعلی شفافیت کے حصول کے لئے یہ سب سے اہم اقدام ہے۔
· اصول: ایپ اور ایپوسی رال کے مابین ایک اضطراب اشاریہ کے ساتھ ایپ کے ذرات کی سطح پر منتقلی کی پرت کی تعمیر کرکے ، انٹرفیس میں اضطراب انگیز انڈیکس میں اچانک تبدیلی کو کم کیا جاسکتا ہے ، اس طرح فریسنل بکھرنے کو کم کیا جاسکتا ہے۔
· تکنیکی نفاذ:
1. سیلین کپلنگ ایجنٹ میں ترمیم: ایڈجسٹ ریفریکیٹک انڈیکس (جیسے اعلی اضطراب انگیز انڈیکس کے ساتھ فینیلسیلین) کے ساتھ سلین کا انتخاب کریں۔ جوڑے کا ایجنٹ ایپ کی سطح پر ایک سالماتی پرت تشکیل دیتا ہے ، جو مطابقت اور آپٹیکل جوڑے کو بہتر بنا سکتا ہے۔
2. پولیمر گرافٹ کوٹنگ: ایک شفاف پولیمر شیل جس میں ایپوسی رال (جیسے پولیمیٹائل میتھکرائیلیٹ ، پی ایم ایم اے ، این ≈ 1.49) کے بہت قریب ایک اضطراب انگیز اشاریہ والا ایک شفاف پولیمر شیل ایپ کی سطح پر گرافٹ کیا جاتا ہے یا لیپت کیا جاتا ہے۔ یہ ہر ایپ کے ذرہ پر آپٹیکل پوشیدہ چادر ڈالنے کے مترادف ہے۔
3. مائکروینکیپسولیشن (ایم سی-ایپ): مائکروینکیپسولیشن کے لئے اعلی شفافیت میلامین فارملڈہائڈ رال (ایم ایف) اور دیگر دیوار کے مواد کا استعمال کیا جاتا ہے۔ ایم ایف رال (~ 1.55-1.60) کا اضطراب انگیز انڈیکس ایپوسی رال کے بہت قریب ہے ، جو بہترین آپٹیکل ملاپ کو حاصل کرسکتا ہے اور پانی کی مزاحمت فراہم کرسکتا ہے۔
طول و عرض 3: وکندریقرت ٹیکنالوجی کا حتمی تعاقب - میکرو اور مائیکرو ایگریگیٹس کو ختم کرنا
یہاں تک کہ اگر ذرات خود بہت ٹھیک ہیں اور ان میں ترمیم کی گئی ہے ، اگر وہ یکساں طور پر ایپوسی سسٹم میں منتشر نہیں ہوئے ہیں تو ، تمام کوششیں رائیگاں ہوں گی۔
· پروسیس کلید: عمل میں تیز رفتار شیئر بازی کو تین رول پیسنے کے ساتھ جوڑ دیا گیا ہے تاکہ یہ یقینی بنایا جاسکے کہ نینو/سبکرون ایپ کے مجموعے کو اچھی طرح سے کھولا گیا ہے اور مقامی ذرہ سائز کے ساتھ یکساں طور پر تقسیم کیا گیا ہے۔
disp منتشر امداد: اسٹوریج اور استعمال کے دوران دوبارہ جمع ہونے کو روکنے کے لئے ، سٹرک رکاوٹ کے اثرات کے ذریعہ بازی استحکام کو برقرار رکھنے کے لئے ایپوسی سسٹم کے ساتھ مطابقت رکھنے والے پولیمر ڈسپرس کا استعمال کریں۔
طول و عرض 4: اضافی مقدار کی درست اصلاح - شعلہ retardant نیٹ ورکس کی "سیپج حد" تلاش کرنا
شفاف شعلہ-ریٹارڈنٹ ایپوسی کی مقدار کی مقدار ضروری نہیں ہے کہ وہ آپٹیکل شفافیت اور شعلہ کی تعی .ن کے مابین ایک پیریٹو فرنٹیئر موجود ہو۔
· تصور: ایپ کے اضافے کی ایک اہم مقدار (پرکولیشن حد) موجود ہے جس کے اوپر ایپ کے ذرات کے مابین ایک موثر گرمی کی ترسیل اور کیمیائی رد عمل کا نیٹ ورک تشکیل دیا جاسکتا ہے ، جس کے نتیجے میں شعلہ پسماندگی (جیسے توسیع کی شرح) میں نمایاں اضافہ ہوتا ہے۔ اس دہلیز کے نیچے ، اضافی رقم کا شفافیت پر بہت کم اثر پڑتا ہے ، لیکن شعلہ ریٹارڈینٹ کارکردگی کم ہے۔
· مقصد: مذکورہ بالا تین ٹکنالوجیوں (نانوومیٹریلائزیشن ، ترمیم ، اور زیادہ سے زیادہ بازی) کے ذریعے ٹکراؤ کی حد کو کم کرنے کے لئے ، تاکہ کم ایپس کے ساتھ موثر شعلہ بازیافت کو حاصل کیا جاسکے اور زیادہ سے زیادہ شفافیت کو حاصل کیا جاسکے۔
range عام حد: باقاعدگی سے ایپس کے لئے ، ایپوکسی میں 5-8 پی ایچ آر (فی سو حصوں کی رال) سے زیادہ ، عام طور پر شفافیت کے نمایاں نقصان کا نتیجہ ہوتا ہے۔ سسٹم کی اصلاح کے ذریعہ ، خاص طور پر مائکرو کیپسولیٹڈ نینو ایپ کے ذریعے ، V-0 گریڈ کے حصول کے لئے اضافی رقم کو 15-25 PHR تک بڑھایا جاسکتا ہے ، جبکہ انتہائی شفاف حالت میں ایک نیم شفاف کو برقرار رکھتے ہوئے۔
عملی ترقی میں ، فیصلہ سازی کے لئے درج ذیل فریم ورک کی پیروی کی جاسکتی ہے۔
| کارکردگی کی ترجیح | تجویز کردہ ٹکنالوجی کے راستے کا مجموعہ | متوقع ترسیل (@ 600nm ، 2 ملی میٹر موٹی) | ٹارگٹ شعلہ ریٹارڈنٹ ریٹنگ (UL94) | عام کل اضافے کی رقم (پی ایچ آر) |
| حتمی شفافیت (آپٹیکل ڈیوائس پیکیجنگ) | نینو ایم سی-ایپ+الٹیمیٹ بازی+اضطراب انگیز اشاریہ کا عین مطابق ملاپ | 85 ٪ | V-1 سے V-0 | 15-20 |
| اعلی شفافیت/نیم شفاف (ایل ای ڈی پیکیجنگ ، شفاف کوٹنگ) | submicron mc-app یا الٹرا فائن میں ترمیم شدہ ایپ+اچھی بازی | 60 ٪ - 85 ٪ | V-0 | 20-30 |
| فنکشن کی ترجیح ، معمولی کہرا (عام طور پر الیکٹرانک encapsulation) قبول کر سکتی ہے | روایتی ایم سی ایپ یا اچھی طرح سے ترمیم شدہ ایپ | 30 ٪ - 60 ٪ | V-0 سے 5VA | 25-35 |
نوٹ: ٹرانسمیٹینس کو موٹائی کے ساتھ مضبوطی سے منسلک کیا جاتا ہے ، اور جدول میں موجود ڈیٹا 2 ملی میٹر موٹی نمونوں کے لئے حوالہ اقدار ہیں۔
کی اضافی رقم اور شفافیت کے درمیان توازنایپایپوسی رال میں ایک عام کثیر مقصدی اصلاح کا مسئلہ ہے ، اور اس کا حل ایک مقررہ تناسب نہیں ہے ، بلکہ جدید ترین مواد سائنس اور عمدہ پروسیسنگ ٹکنالوجی کے ذریعہ ایک "ممکن ڈومین" پھیل گیا ہے۔
· روایتی نقطہ نظر: موٹے دانوں اور غیر ترمیم شدہ ایپس کی بنیاد پر ، شفافیت اور شعلہ کی تعی .ن کی شدید مخالفت کی جاتی ہے اور صرف سمجھوتہ کیا جاسکتا ہے۔
· جدید راستہ: "نینو/سب مائکرون" کے ذریعے مائدی بکھرنے سے گریز کرنا ، "سطح/مائکرو کیپولیشن ترمیم" کے ذریعے اضطراب انگیز انڈیکس میچنگ اور انٹرفیس آپٹیکل جوڑے کو حاصل کرنا ، اور "حتمی بازی" کے ذریعے میکروسکوپک نقائص کو ختم کرنا۔ تثلیث ، ہم آہنگی کا اثر۔
اس نظام کی حکمت عملی کے کامیاب نفاذ سے ایپوسی جامع مواد تیار کرنا ممکن ہوتا ہے جو UL94 V-0 (یا یہاں تک کہ 5VA) شعلہ ریٹارڈنٹ ریٹنگ اور> 80 ٪ اعلی ٹرانسمیشن دونوں کو پورا کرتے ہیں۔ اس سے نہ صرف اعلی کے آخر میں اوپٹ الیکٹرانک فیلڈ میں شعلہ-ریٹارڈنٹ ایپوسی رال کی اطلاق کی حد کو وسیع کیا جاتا ہے ، بلکہ مادی ڈیزائن کے تصور میں پیشرفت کی بھی نمائندگی کرتا ہے: فنکس کی بنیادی جسمانی خصوصیات کی قربانی دینے کی قیمت پر فنکشنل فلرز کا اضافہ ضروری نہیں ہے۔
اعلی درجے کی ایپلی کیشنز کے لئے وقف مادی انجینئروں کے ل this ، اس توازن آرٹ میں مہارت حاصل کرنے کا مطلب یہ ہے کہ وہ صارفین کو اگلی نسل کے حل فراہم کرنے کے قابل ہوں جو "مرئی حفاظت" اور "قابل اعتماد تحفظ" کو یکجا کریں ، اس طرح تیز مارکیٹ کے مقابلے میں بنیادی تکنیکی فوائد قائم کریں۔ کیا آپ کو ایپوسی رال کی مصنوعات تیار کرنا ہے جس میں اعلی شفافیت اور اعلی شعلہ بازیافت کے درمیان توازن کی ضرورت ہوتی ہے؟ ہم مائکرو کیپسولیٹڈ نینو ایپس سے ایڈجسٹ ریفریکیٹک انڈیکس ، خصوصی بازی کے عمل کے حل ، اور ٹرانسمیٹینس شعلہ ریٹارڈنٹ کارکردگی کی ہم آہنگی کی اصلاح کے ساتھ مکمل تکنیکی مدد فراہم کرسکتے ہیں ، جس سے آپ کو زیادہ سے زیادہ توازن نقطہ کو درست طریقے سے تلاش کرنے میں مدد مل سکتی ہے اور مصنوعات کی کارکردگی میں لیپفروگ میں بہتری حاصل کی جاسکتی ہے۔